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采用飞秒脉冲光电探测技术研究低温生长砷化镓光电导开关超快瞬态响应特性.实验测得不同激发波长或偏置电压下LT-GaAs光电导开关瞬态响应驰豫时间约350～390fs,由实验数据计算得到电子迁移率约1000cm2/V*s.由导出的瞬态光电流相关响应归一化表达式,对实验曲线进行数据拟合,结果与实验曲线吻合.