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研究了离子注入对金属有机化学气相淀积法生长的Mg掺杂GaN性质的影响.样品在800℃退火1小时后,我们获得了空穴浓度达8.28×1017cm-3的p型GaN.这一结果可以用于GaN基器件的p型层的欧姆接触.
用Mg离子注入提高p型GaN的空穴浓度
【摘 要】
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研究了离子注入对金属有机化学气相淀积法生长的Mg掺杂GaN性质的影响.样品在800℃退火1小时后,我们获得了空穴浓度达8.28×1017cm-3的p型GaN.这一结果可以用于GaN基器件
【机 构】
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北京大学物理系介观物理与人工微结构国家重点实验室
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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2001年z1期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(69876002)
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