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本文直接使用高纯Ag，Ga，Ge，S单质作为原料合成AgGaGeS4多晶。为防止S蒸气高压使多晶合成管炸裂，采用双温区气相输运的合成方法。对合成的多晶作粉末衍射（XRD）分析，衍射图谱与标准JC—PDF卡片上峰值位置一致，表明样品为高纯单相AgGaGeS4多晶。使用该多晶原料成功生长出了优质单晶，并对合成工艺中存在的关键问题进行了讨论。