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用基于密度泛函理论及超软腰势的第一性原理研究了KH2PO4（KDP）晶体中K空位的电子结构、形成能及驰豫构型。讨论了K空位形成后电荷密度的重新分布、相应的电子态密度和能带结构等性质。计算得到中性K空位的形成能为6.5eV，远小于间隙K原子点缺陷形成能13.07eV。K空位的存在使晶胞体积增大，分别沿结晶学轴a方向增大近0．8％，b方向增大近0．87％，c方向增大近1．2％，同时使与之配位的8个氧原子发生较大位移，使这8个氧形成的空腔体积增大近3．2％。空腔体积的增大不仅促进了各种点缺陷的扩散迁移，而且有利