外延铁酸铋薄膜铁电性和反转特性的研究

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：foxi

【摘要】

：

采用磁控溅射的方法在以SrRuO3（SRO）为底电极的（001）取向的SrTiO3基片上制备了外延BiFeO3（BFO）薄膜,并以氧化铟锡（ITO）和金属Pt为上电极构架了ITO/BFO/SRO和Pt/BFO/SRO两种薄膜电容器

【作者】

：

彭增伟刘保亭

【机构】

：

华北电力大学科技学院,河北大学物理科学与技术学院

【出处】

：

人工晶体学报

【发表日期】

：

2015年4期

【关键词】

：

外延铁酸铋薄膜上电极铁电性反转特性 epitaxial BiFeO3 film top electrode ferroelectricity rev

【基金项目】

：

中央高校基本科研业务费专项资金（13MS106）, 国家自然科学基金（11374086）, 河北省自然科学基金（E2012201035,E2014201188）

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

采用磁控溅射的方法在以SrRuO3（SRO）为底电极的（001）取向的SrTiO3基片上制备了外延BiFeO3（BFO）薄膜,并以氧化铟锡（ITO）和金属Pt为上电极构架了ITO/BFO/SRO和Pt/BFO/SRO两种薄膜电容器,研究上电极对外延BFO薄膜铁电性和反转特性的影响。结果表明,两种薄膜电容器均体现了良好的饱和电滞回线,当测试电场为333kV/cm时,ITO/BFO/SRO和Pt/BFO/SRO两种电容器的剩余极化强度分别为47.6μC/cm2和56μC/cm2,矫顽场分别为223kV/cm和

其他文献

LED用硅掺杂GaAs晶体的生长与表征（英文）

采用坩埚下降法生长了LED用硅掺杂〈511〉取向的GaAs晶体。选用带籽晶槽的PBN坩埚作为生长容器,密封在石英安瓶中以防止生长过程中As蒸汽挥发。研究了掺杂工艺、固液界面形貌

期刊

GAAS晶体生长坩埚下降法硅掺杂孪晶GaAs； crystal growth； pulling-down method； Si-doped； twin

升华法生长氮化铝晶体的热场分析

本文使用有限元法模拟氮化铝晶体生长系统的温度场，分析了坩埚的位置、感应线圈的匝间距以及原料与晶体之间的距离对温度场分布的影响。结果表明：坩埚位置主要影响系统中最高温

期刊

升华温度场氮化铝晶体有限元sublimation temperature field AlN crystal finite element

马铃薯高产栽培技术规程

文章从品种选择、播种时间、精细整地、催芽及芽后管理等几个方面介绍了马铃薯的高产栽培技术.

期刊

马铃薯栽培高产

旅游驱动下的传统村落保护与开发研究——以甘南迭部扎尕那为例

随着经济的发展和人民生活水平的提高,旅游业成为朝阳产业,呈现出蓬勃发展事态,传统村落因具有的特色地域文化越来越强烈的吸引着人们前去旅游观光考察,一方面弘扬传统文化,

期刊

旅游驱动传统村落保护与开发扎尕那

在他人店内摆放老虎机的行为如何定性

<正>一、基本案情被告人张某于2010年3月通过沟通协商,在顾某、孙某、李某、杨某、武某经营的小店内分别放置可设置赔率的老虎机1台,并与各店主约定平分获利。期间,张某等人

期刊

开设赌场罪人的行为

大尺寸Nd^3＋：GGG激光晶体的单胞参数计算和组分分析

采用提拉法生长了直径为136 mm的Nd3＋：GGG单晶,通过X射线衍射和X射线荧光对晶体的结构、成分沿生长方向和径向的变化进行了测试分析。结果表明单胞晶格参数沿晶体的生长方向和

期刊

晶体生长Nd^3+:GGGX射线衍射X射线荧光元素分析结构精修crystal growth Nd3＋∶GGG X-ray diffraction el

文章结尾十种

期刊

十种

外延铁酸铋薄膜铁电性和反转特性的研究

其他学术论文