【摘 要】
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研究了摄谱系统在CF_3H等离子体工艺研究中的应用。SiO_2的CF_3H等离子体刻蚀速率与等离子体中被测组分的谱线发射强度有关。用CF_3H等离子体刻蚀SiO_2时,HF是一个理想的组分
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研究了摄谱系统在CF_3H等离子体工艺研究中的应用。SiO_2的CF_3H等离子体刻蚀速率与等离子体中被测组分的谱线发射强度有关。用CF_3H等离子体刻蚀SiO_2时,HF是一个理想的组分。这种摄谱系统具有控制等离子体刻蚀和沉积两种工艺的潜力,最终能使这些工艺自功化。
The application of the spectrograph system in the research of CF_3H plasma technology was studied. The etching rate of SiO_2 CF_3H plasma is related to the emission intensity of the measured components in the plasma. When CF_2H plasma is used to etch SiO_2, HF is an ideal component. This spectroscopy system has the potential to control both plasma etch and deposition processes, ultimately enabling these processes to self-work.
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