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利用离子注入技术, 对稀土掺杂到半导体单晶硅中的光致发光行为进行了研究. 室温下得到了La, Ce和Nd稀土掺杂层的蓝紫色光致发光光谱, 并首次观测到硅中稀土掺杂层室温下的光致上转换发光现象. 光致发光强度随着稀土掺杂量的增加和热处理温度的上升急剧增强. 在紫外光激发下, 发光强度随着激发光波长的减小而增大; 在光致上转换过程中, 发光强度随着激发波长的增加而上升. 这表明光致发光强度与稀土元素的掺杂量、掺杂层的结构与热处理温度有密切的关系. 文章对在室温下这些稀土掺杂层的光致发光行为进行了分析, 并提出