【摘 要】
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采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种频带为90～100 GHz的差分单刀双掷开关.首先对比分析了并联MOS管与串联MOS管,根据隔离度与损耗性能选择了并联结构.其次采用差分螺旋电
【机 构】
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合肥工业大学光电技术研究院,合肥,230009;中国电子科技集团第三十八研究所,合肥,230009
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采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种频带为90～100 GHz的差分单刀双掷开关.首先对比分析了并联MOS管与串联MOS管,根据隔离度与损耗性能选择了并联结构.其次采用差分螺旋电感进行匹配,将双端口电感网络等效为变压器模型,显著抑制了共模信号.采用平面三维电磁仿真软件进行联合仿真.结果表明,在中心频点处,差模插入损耗为-4.1 dB,共模插入损耗为-7.4 dB,隔离度大于-22 dB,输入反射系数Su＜-12 dB,输出反射系数S22＜-10dB.芯片尺寸为570 Om×140 Om.
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