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利用化学气相沉积,在玻璃衬底上生长了SnO2掺氟(FTO)薄膜.X射线衍射测试(XRD)显示所得的FTO薄膜具有四方相结构.通过掺氟可以提高SnO2的电学性质,但掺氟同时也会影响SnO2薄膜的晶体质量,进而导致光学性质的损失.在这项研究工作中,在生长FTO薄膜时引入了SnxSi1-xO2缓冲层,并研究其对FTO薄膜光电性质的影响,发现通过引入SnxSi1-xO2缓冲层,可以较大程度降低FTO薄膜表面粗糙度,并同时保持较好的电学性质.