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讨论了MOSFET的辐照损伤机理,通过低能(10keV)X射线辐照试验,分析了不同X射线辐照总剂量、不同剂量率对nMOSFET单管的转移特性以及阚值电压的影响,结果表明X射线辐照对nMOSFET的阈值电压变化的影响与60Co辐照影响的规律基本一致.
nMOSFET低能X射线辐照特性研究
【摘 要】
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讨论了MOSFET的辐照损伤机理,通过低能(10keV)X射线辐照试验,分析了不同X射线辐照总剂量、不同剂量率对nMOSFET单管的转移特性以及阚值电压的影响,结果表明X射线辐照对nMOSFE
【机 构】
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信息产业部电子第五研究所,电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室
【出 处】
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电子产品可靠性与环境试验
【发表日期】
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2005年6期
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