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选用Ｒ．Ｉ．Ｐ．工艺，以Ｓｎ、Ｉｎ为蒸发物，以Ｇｓ－１型全息干板为基片，在２００℃的条件下制备出ＩＴＯ薄膜，经退火处理表明，退火有助于提高ＩＴＯ薄膜的可见、近红外光的透射率，但退火温度有一阈值，退火不利于提高ＩＴＯ薄膜的近红外反射率。
退火对反应离子镀ITO薄膜光学特性的影响
【摘 要】
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选用Ｒ．Ｉ．Ｐ．工艺，以Ｓｎ、Ｉｎ为蒸发物，以Ｇｓ－１型全息干板为基片，在２００℃的条件下制备出ＩＴＯ薄膜，经退火处理表明，退火有助于提高ＩＴＯ薄膜的可见、近红外光的透射率，但退火温度有一阈值，退火不利于提高ＩＴＯ薄膜的近红外
【机 构】
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86176部队14分队
【出 处】
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山西师大学报(自然科学版)
【发表日期】
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1999年2期
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