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ZnO是一种宽禁带半导体材料，通过阳离子Al^3＋掺杂可以改善其导电性，而且通过掺杂MgO进行“能带剪裁”可以实现从紫外到可见光范围内的完全透明。因此，ZnO基紫外光透明导电薄膜近年来逐渐成为半导体光电材料与器件的研究热点之一。本文介绍了紫外光透明导电薄膜MgxZn1-xO：Al的基本特性、制备方法及研究进展。