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介绍微波电路中单片集成ＨＥＭＴ和ＨＢＴ的器件结构及其电学特性，采用ＨＥＭＴ－ＨＢＴ混合工艺的局部分子束外延技术，其器件特性与一工艺的ＨＥＭＴ和ＨＢＴ基本相同。
采用局部分子束外延技术的HEMT—HBT集成
【摘 要】
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介绍微波电路中单片集成ＨＥＭＴ和ＨＢＴ的器件结构及其电学特性，采用ＨＥＭＴ－ＨＢＴ混合工艺的局部分子束外延技术，其器件特性与一工艺的ＨＥＭＴ和ＨＢＴ基本相同。
【机 构】
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复旦大学电子工程系集成电路ＣＡＤ研究室
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1997年1期
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