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5. Holding-voltage drift of a silicon-controlled rectifier with different film thicknesses in silicon-o

Holding-voltage drift of a silicon-controlled rectifier with different film thicknesses in silicon-o

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hqxx03447

【作 者】

：

姜一波  曾传滨  杜寰  罗家俊  韩郑生 

【出 处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2012年03期

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