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针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题，研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07nm的刻蚀表面；牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面损伤层，湿氧加干氧的氧化方式生长的SiO2钝化膜既有足够的厚度又保证了致密性良好的界面，减小了表面态对栅特性和沟道区的影响，获得了理想因子为1.17，势垒高度为0.72eV的良好的肖特基特性；等平面工艺有效屏蔽了衬底缺陷对电极互连引线的影响，减小了反向截止漏电流，使器件在1mA下击穿电压达到了65V，40V下反向漏电流为20μA。为了提