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利用磁控溅射的方法在氧化后的单晶Si基片上制备了TiNi形状记忆合金薄膜，利用示差扫描量热法和原位X射线衍射研究了薄膜的马氏体相变特征。通过60keV质子注入(辐照)薄膜样品研究了H^+离子对合金薄膜马氏体相变特征的影响，结果表明氢离子注人后引起了马氏体相变开始Ms和结束点Mi以及逆马氏体相变开始A，和结束温度AI的下降，而对R相变开始Rs和结束温度Rf影响不大。掠入射X射线衍射表明H^+离子注入后有氢化物形成。H^+离子注入形成的氢化物是引起相变点的变化的主要因素。