【摘 要】
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针对SiO2薄膜制备过程中的龟裂难题,开发了基于电射流沉积的制备工艺,通过对沉积参数的调节,实现了SiO2薄膜的无裂纹可控制备。首先调制了由SiO2溶胶和SiO2颗粒混合而成SiO2
【机 构】
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大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室,大连理工大学精密与特种加工技术教育部重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(51675085;51475081)
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针对SiO2薄膜制备过程中的龟裂难题,开发了基于电射流沉积的制备工艺,通过对沉积参数的调节,实现了SiO2薄膜的无裂纹可控制备。首先调制了由SiO2溶胶和SiO2颗粒混合而成SiO2悬浮液,其目的在于降低沉积薄膜中的内应力,从而减少薄膜表面裂纹。其次采用电射流沉积的方法,通过调控沉积高度和扫描间距,实现了薄膜的无裂纹制备。最后,通过SEM对薄膜表面形貌和截面形貌进行了表征。结果表明当沉积高度为4mm,扫描间距为1.4mm时,可以得到无裂纹SiO2薄膜。通过层层叠加的方式来制备SiO2薄膜,沉积12层得到了
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