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文章讨论了进入二十一世纪微电子科学技术所面临的诸多问题：超微细加工新技术，高电导率金属和低介电常数介质的互连技术，SiCMOS工艺的限制以及GaAs集成电路的崛起等。
迈进二十一世纪的集成电路
【摘 要】
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文章讨论了进入二十一世纪微电子科学技术所面临的诸多问题：超微细加工新技术，高电导率金属和低介电常数介质的互连技术，SiCMOS工艺的限制以及GaAs集成电路的崛起等。
【机 构】
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中国科学院微电子中心
【出 处】
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世界科技研究与发展
【发表日期】
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1999年4期
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