稀土Nd,Ce掺杂硅基薄膜光致发光特性

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yulingjie2006
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
测量了Nd,Ce稀土离子注入Si基晶片,在不同离子注入剂量、不同退火条件下的室温光致发光(PL)谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定.在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大,随退火条件的不同而改变.运用原子力显微镜(AFM)对样品的表面形貌进行了观察,结果显示,样品表面颗粒大小、粗糙度将影响其发光效率.表面颗粒大小均匀,均方根粗糙度小的样品发光效率较高.通过对样品的卢瑟福背散射(RBS)能谱测量,对样品的表面结构进行了探讨,并讨论了表面结构与光致发光特性之间的联系.对样品的发光机理作了初步探
其他文献
用无机材料在室温下通过溶胶法制成了纳米ZnS:Mn荧光粉,立方晶形,平均粒径为3nm,它的橙色发光(峰值608nm,半宽75nm)亮度与同晶型(立方)的体ZnS:Mn荧光粉的亮度相同,而余辉缩短。在Nd
彩色等离子体平板显示器件已经成为信息显示领域重要发展方向之一,荧光粉对PDP器件的性能起着决定性的作用.PDP中的荧光粉是通过丝网印刷的方法涂敷的.荧光粉在制成丝网印刷
利用J-O理论计算了Er3+掺杂的氟氧化物玻璃材料MFT的光学性质,得到了一些能级间跃迁的振子强度、跃迁几率、分支比、及寿命等数据.并通过实验测量了吸收光谱、激发光谱和发射
GdVO4:Eu3+ 有着十分优良的发光特性,它发光强度高,特别是具有很好的温度特性,在室温以上发光强度随温度的升高而增强,很利于在高温下使用此材料.本文对它的热释光进行了研究
提出了一种简便易行、并与有机薄膜电致发光器件制备工艺完全兼容的工艺检测方法——覆膜加热观测法。这种方法是在器件的制备工艺过程中,同时在铟锡氧化物(ITO)电极和各层有
制备了Tb3+浓度不同而粒径相同的一系列纳米晶Y2O2S.由于表面态对发光的猝灭作用,Tb3+离子5D3发光的寿命与体材料比较明显缩短.研究了5D3和5D4能级发光的浓度猝灭,发光强度与
采用线性组合算符方法,导出了有限温度下磁极化子中的平均光学声子数,讨论了平均声子数与温度T、磁场B和坐标z之间的关系.
近年来人们报道了用MBE方法生长GaN的飞速进展,利用RF-MBE方法可以获得高的GAN生长速率和高的电子迁移率.本文讨论了用RF-MBE方法在蓝宝石衬底上生长GaN过程中的极性控制和螺
采用柠檬酸-凝胶法合成了纯的ZnGa2O4粉末以及ZnGa2O4:Mn2+/Eu3+粉末,利用X射线衍射(XRD)、热重及差热分析(TG-DTA)、发光光谱等测试手段对ZnGa2O4和ZnGa2O4:Mn2+/Eu3+的结晶
等离子体显示器已成为平板显示领域主要发展方向之一.在等离子体显示器上测得的色坐标包含了两部分:一部分是荧光粉在PDP器件中发光色的色坐标,一部分是PDP工作时气体放电的