【摘 要】
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采用射频磁控反应溅射法在K9玻璃衬底上制备了掺钼氧化铟(Mo:In2O3,IMO)透明导电薄膜,研究了不同沉积温度条件下IMO薄膜的晶体结构、形貌及光电性能.结果表明:不同沉积温度下
【机 构】
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北京国晶红外光学科技有限公司北京有色金属研究总院
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采用射频磁控反应溅射法在K9玻璃衬底上制备了掺钼氧化铟(Mo:In2O3,IMO)透明导电薄膜,研究了不同沉积温度条件下IMO薄膜的晶体结构、形貌及光电性能.结果表明:不同沉积温度下IMO薄膜均具有(222)择优取向.随着沉积温度的升高,IMO薄膜的载流子浓度增大、载流子迁移率增大、电阻率减小;沉积温度为350 ℃时,薄膜的最低电阻率为6.9×10-4 Ω·cm,载流子浓度为2.15×1020 cm-3,迁移率为45 cm2V-1s-1.在可见及近红外区,IMO薄膜的平均透过率大于80%以上.在近红外区,薄膜透过率随沉积温度的升高而增大;在中红外区,由于载流子的吸收,薄膜透过率迅速下降.
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