【摘 要】
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本文讨论了目前使用的MOSFET阈值电压模型的局限性,尝试了用分段近似法求解非均匀掺杂MOSFET的阈值电压,在此基础上提出了一个新的模型公式.它能反映非均匀掺杂MOSFET 阈值电
【机 构】
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复旦大学微电子学研究所,复旦大学微电子学研究所
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本文讨论了目前使用的MOSFET阈值电压模型的局限性,尝试了用分段近似法求解非均匀掺杂MOSFET的阈值电压,在此基础上提出了一个新的模型公式.它能反映非均匀掺杂MOSFET 阈值电压衬偏特性;不仅适用于浅注入,而且适用于深注入情况;不仅适用于长沟道,而且适用于小尺寸器件.此模型的计算结果同数值分析器MINIMOS的有关计算值相比,符合得很好.该模型公式特别适用于 VLSI CAD.
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