【摘 要】
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采用直流磁控溅射的方法在Si基片上制备了FePt薄膜,研究了膜厚对FePt薄膜结构与磁性能的影响。结果表明:在600℃热处理1 h,FePt薄膜由无序的面心立方相向有序的面心四方相的
【机 构】
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桂林电子科技大学广西电子信息材料构效关系重点试验室,桂林电子科技大学材料科学与工程学院
【基金项目】
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广西自然科学基金(2019GXNSFAA245056),广西信息材料重点试验室基金(191013-Z),桂林电子科技大学研究生教育创新计划资助项目(2018XWYJ24)
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采用直流磁控溅射的方法在Si基片上制备了FePt薄膜,研究了膜厚对FePt薄膜结构与磁性能的影响。结果表明:在600℃热处理1 h,FePt薄膜由无序的面心立方相向有序的面心四方相的转变基本完成;随着膜厚减小至40 nm,在没有缓冲层、不使用有取向衬底、不对基片加热的情况下,表现出明显的(001)择优取向,但膜越薄表面越容易出现空洞。磁性能测试表明,越薄的FePt薄膜的矫顽力越大,40 nm厚的薄膜的矫顽力可达到~15.9 kOe。膜厚的减小对FePt薄膜的择优取向生长和磁性能具有较大的提升作用。
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