【摘 要】
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介绍了离子束刻蚀的二次效应对图形轮廓以及离子束刻蚀入射角对图形侧壁陡度的影响。利用能量为450eV，束流密度为80mA／cm^2的离子束分别以0°、15°、30°、45
【机 构】
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中国科学技术大学国家同步辐射实验室
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介绍了离子束刻蚀的二次效应对图形轮廓以及离子束刻蚀入射角对图形侧壁陡度的影响。利用能量为450eV，束流密度为80mA／cm^2的离子束分别以0°、15°、30°、45°和60°的刻蚀入射角对石英基片进行了刻蚀，得到了不同离子束入射角度下的图形侧壁的陡直情况。从电镜照片中可以看出，以30°入射角刻蚀出的图形质量最佳。结果表明，在离子束刻蚀中，选择适当的离子束入射角可以提高图形侧壁陡度，改善图形质量。因此对于离子束刻蚀来说，为控制二次效应，保证图形
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