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研究了载流子寿命对SOI有源光波导器件工作性能的限制及影响，分析了制约载流子寿命减小的若干因素，综述了采用合理设计减小波导截面尺寸参数、脊区内植入He离子、加入pin结构施加反向偏压等几种有效减少载流子寿命的方法，并给出了它们各自的理论基础和文献报道的理论模拟与实验结果。经过对各种方法的利弊进行分析比较，作者认为在提高光电子器件性能的研究中，采用减小波导截面尺寸参数的方法要同时兼顾传榆损耗的变化；采用离子植入法可以在不改变波导尺寸的情况下减小载流子的寿命，但引入了附加损耗且与CMOS工艺不相兼容；而外加p