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采用多孔AAO模板辅助的有机溶剂电化学沉积技术，制备出尺寸均匀，平均直径30nm的单晶CuS纳米线。利用透射电子显微技术研究了纳米线的晶体结构和元素成分，分析了不同沉积电流密度对CuS纳米晶形核及生长过程的影响。研究结果表明，电流密度过小，容易导致S单质向S2-还原速度竞争不过Cu2＋与S2-反应成核的速度，从而出现Cu34 S32（即CuS0？95）；电流密度过大，则会导致成核过程抑制生长过程，得到的CuS纳米晶均为多晶形态。