MEMS薄膜断裂强度测试结构

来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 13次 | 上传用户:billcde
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
多晶硅断裂强度是MEMS器件极限工作的主要参数,也是MEMSCAD数据库建立的重要方面之一,在微小尺寸的情况下断裂强度的测试方法与大尺寸时有很大的不同,测试结果会受到很多因素的影响。本文总结了近几年MEMS薄膜断裂强度的测试方法及存在的问题,对进一步结构设计有一定的参考价值。
其他文献
<正> IBM制造出首个碳纳米管晶体管 IBM的研究人员已经制造出世界上第一个碳纳米管晶体管阵列,利用这一突破性的晶体管技术制造的芯片将比现在的硅芯片面积更小、速度更快。
介绍了在蓝宝石衬底和ELOG(外延横向过生长)衬底上生长的InGaN量子阱LED和LD结构,并描述了LED和LD的器件应用.