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期刊论文
MEMS薄膜断裂强度测试结构
MEMS薄膜断裂强度测试结构
来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 13次 | 上传用户:billcde
【摘 要】
:
多晶硅断裂强度是MEMS器件极限工作的主要参数,也是MEMSCAD数据库建立的重要方面之一,在微小尺寸的情况下断裂强度的测试方法与大尺寸时有很大的不同,测试结果会受到很多因素的影响。本文总结了近几年MEMS薄膜断裂强度的测试方法及存在的问题,对进一步结构设计有一定的参考价值。
【作 者】
:
梅年松
黄庆安
【机 构】
:
东南大学MEMS教育部重点实验
【出 处】
:
微纳电子技术
【发表日期】
:
2002年12期
【关键词】
:
MEMS薄膜
MEMSCAD
静电测试
断裂强度
MEMSCAD
electrostatic probing
fracture strength
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多晶硅断裂强度是MEMS器件极限工作的主要参数,也是MEMSCAD数据库建立的重要方面之一,在微小尺寸的情况下断裂强度的测试方法与大尺寸时有很大的不同,测试结果会受到很多因素的影响。本文总结了近几年MEMS薄膜断裂强度的测试方法及存在的问题,对进一步结构设计有一定的参考价值。
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