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文章研究了ＣＭＯＳ器件＾６０Ｃｏγ射线的总剂量辐照实验以及辐照后在１００℃温度场下的退火效应。实验发现，辐照后，器件在加温和加偏条件下，可以加速ｎ沟器件界面态的增长和氧化物陷阱电的退火，而加温浮空偏置条件下有利于ｎ沟器件界面态的退火，但在１００℃温度场中，两种偏置条件都有利于ｐ沟器件氧化物陷阱电荷和界面的退火。