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<正> 一、概述近年来,非屏蔽半导体器件的应用愈来愈广泛,而许多器件又工作于电磁辐射环境中。长久以来,电磁波对半导体器件的辐射效应并没有引起人们足够的重视。实验证明,非屏蔽半导体器件经过一定强度的电磁波辐射后,其参数会发生漂移,早期失效时间缩短。这些变化都会影响半导体器件的使用可靠性,特别是一些敏感器件在高强度的电磁辐射环境中工作时,这种影响尤为突出。但是事物总是一分为二的,电磁波对半导体器件的影响又可以使我们有可能利用这种效应来剔除早期失效的半导体器件。