【摘 要】
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在后摩尔时代，3D芯粒（Chiplet）通常利用硅通孔（TSV）进行异构集成，其复杂的工艺流程会提高芯片制造的难度和成本。针对背照式（BSI）CMOS图像传感器（CIS）的倒置封装结构，该文提出了一种低成本、低工艺复杂度的3D Chiplet非接触互联技术，利用电感耦合构建了数据源、载波源和接收机3层分布式收发机结构。基于华润上华（CSMC）0.25 mm CMOS工艺和东部高科（DB HiTek
【基金项目】
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国家重点研发计划（2021YFA0717700）； 国家自然科学基金（62211530492,62004096）；
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在后摩尔时代，3D芯粒（Chiplet）通常利用硅通孔（TSV）进行异构集成，其复杂的工艺流程会提高芯片制造的难度和成本。针对背照式（BSI）CMOS图像传感器（CIS）的倒置封装结构，该文提出了一种低成本、低工艺复杂度的3D Chiplet非接触互联技术，利用电感耦合构建了数据源、载波源和接收机3层分布式收发机结构。基于华润上华（CSMC）0.25 mm CMOS工艺和东部高科（DB HiTek）0.11 mm CIS工艺，通过仿真和流片测试验证了所提出的互联技术的有效性。测试结果表明，该3D Chiplet非接触互联链路采用20 GHz载波频率，收发机通信距离为5～20 mm，在数据速率达到200 Mbps时，误码率小于10-8，接收端功耗为1.09 mW，能效为5.45 pJ/bit。
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在后摩尔时代，3D芯粒（Chiplet）通常利用硅通孔（TSV）进行异构集成，其复杂的工艺流程会提高芯片制造的难度和成本。针对背照式（BSI）CMOS图像传感器（CIS）的倒置封装结构，该文提出了一种低成本、低工艺复杂度的3D Chiplet非接触互联技术，利用电感耦合构建了数据源、载波源和接收机3层分布式收发机结构。基于华润上华（CSMC）0.25μm CMOS工艺和东部高科（DB HiTek）
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