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采用Ni／Au作为肖特基接触制备了一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器，并测量和分析了阵列器件的I-V、光谱响应特性．结果表明，阵列探测器性能均匀性好，击穿电压均高于100V．阵列中单器件暗电流小，在偏压为20V的时候，最大暗电流均小于5pA（电流密度为5nA／cm^2），光电流比暗电流高3个数量级以上．其光谱响应表明，单器件在电压为20V时的响应度约为0．09A／W，比400nm时的比值均大5000倍，说明探测器具有良好的紫外可见比．