【摘 要】
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采用电聚合方法制备三聚氰胺修饰玻碳电极（PM/GC）,然后在其表面同位镀铋膜,研究Cd2＋在该电极上的溶出伏安行为,并与裸玻碳电极（GC）同位镀铋膜电极上Cd2＋的溶出伏安行为进行比较。研
【基金项目】
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四川理工学院科技项目（2009xjkyl001）资助, 四川省教育厅基金资助项目（10ZB102）
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采用电聚合方法制备三聚氰胺修饰玻碳电极（PM/GC）,然后在其表面同位镀铋膜,研究Cd2＋在该电极上的溶出伏安行为,并与裸玻碳电极（GC）同位镀铋膜电极上Cd2＋的溶出伏安行为进行比较。研究表明,镉在同位镀铋膜的PM/GC电极上可得到灵敏的溶出峰。在优化的实验条件下,镉的氧化峰电流与其在1.0×10-7～1.0×10-6mol/L浓度范围内呈良好的线性关系,检测下限为5.0×10-8mol/L。由于每次溶出后可方便地将铋膜溶解更新,该方法重现性好。使用铋膜电极替代汞膜电极还有
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