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分析了SOI (silicon-on-insulator)2×2电光开关工作时热光效应对等离子色散效应的影响.采用二维半导体器件模拟器PISCES-Ⅱ对器件进行了模块.结果表明,热光效应对等离子色散效应的影响与调制区长度密切相关,当调制区长度较短时,热光效应的影响不容忽视;当调制区长度大于500 μm时,这种影响可以忽略不计.