【摘 要】
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采用室温溅射加后续退火工艺制备了ZnO∶Al透明导电薄膜。研究了热处理工艺对薄膜微观结构和光电性能的影响。研究表明：退火有助于减小Al3＋对Zn^2＋的取代造成的晶格畸变,消除应
【机 构】
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桂林电子科技大学信息材料科学与工程系
【基金项目】
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广西高校百名中青年学科带头人资助计划项目（No.RC20060809014）
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采用室温溅射加后续退火工艺制备了ZnO∶Al透明导电薄膜。研究了热处理工艺对薄膜微观结构和光电性能的影响。研究表明：退火有助于减小Al3＋对Zn^2＋的取代造成的晶格畸变,消除应力,促进晶粒长大,有效提高电子浓度和迁移率,降低电阻率;当溅射功率为80W、退火温度为320℃时,薄膜的电阻率可低至8.6×10^-4Ω.cm;退火气氛对薄膜的导电性能有较大影响,真空退火可使吸附氧脱附,大大降低薄膜的方块电阻。而退火温度和退火气氛均对ZnO∶Al薄膜的透光率没有明显影响,薄膜的透光率在86%以上。
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