超高速大规模集成电路用SI-GaAs材料的现状及展望

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一、前言 由于现代信息工业发展的需要,现有计算机工作速度在某些领域已不能满足需求。因此七十年代后半期国外在探索超高速器件方面进行了大量的研究,取得令人注目的发展。从材料角度看,主要研究方向有:(1)超导材料在高速器件中的应用; (2)改进现有硅集成电路的设计; (3)化合物半导 I. Preface Due to the needs of the development of modern information industry, the speed of existing computer work can not meet the demand in some areas. Therefore, in the latter half of the seventies, a large number of researches on ultra-high-speed devices were explored overseas, with remarkable development. From the material point of view, the main research directions are: (1) superconducting materials in high-speed devices; (2) to improve the design of existing silicon integrated circuits; (3) compound semiconductors
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