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本文考察Bi再掺杂对Mg_2Si_（0.985）Bi_（0.015）基体的组成、微观结构以及电子输运与热导率等方面的影响。采用X线衍射仪（XRD）和电子能谱（EDS）等对样品进行表征分析。结果表明：再掺杂的Bi除部分进入Mg_2Si_（0.985）Bi_（0.015）基体外,其余在晶界处生成Mg3Bi2。由于Mg2Si中Bi量的提高使得载流子浓度增加,进而增大样品的电导率,而塞贝克系数受载流子浓度变化和杂相的影响甚微。热导率则因Bi量增加和杂相的存在略有降低。在873 K时,2%Bi再掺杂样品的最高热电优