【摘 要】
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用射频溅射系统成功制备出cBN/Si N-p异质结,并系统研究了其电学性质.掺硫(S)的n型c-BN薄膜用13.56 MHz射频溅射系统沉积在P型Si(100)(8～15 Ω@cm)衬底上,靶材为h-BN靶(纯度达
【机 构】
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北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室
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用射频溅射系统成功制备出cBN/Si N-p异质结,并系统研究了其电学性质.掺硫(S)的n型c-BN薄膜用13.56 MHz射频溅射系统沉积在P型Si(100)(8～15 Ω@cm)衬底上,靶材为h-BN靶(纯度达99.99%).溅射气体为氩气和氮气混合而成,固态硫(S)通过加热蒸发混入工作气体,改变硫的加热温度可改变硫的掺杂剂量.为了测量异质结的电学性质,用真空蒸镀法在异质结表面蒸镀了1.5 mm×2.0 mm的铝电极.实验结果表明,cBN/Si N-p异质结的I-V曲线具有明显的整流特性,其
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