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用提拉法磁悬浮冷坩埚技术生长的RFe2(Tb03Dy0.7Fe195)单晶材料,其室温下的饱和磁致伸缩系数λs可达2 ×10-3以上,优于同成分的定向结晶材料.采用自制的高性能RFe2单晶材料,通过优化微位移致动器的机械、磁路参数,研制出具有非水冷结构的新型微位移致动器.
新型微位移致动器的研究
【摘 要】
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用提拉法磁悬浮冷坩埚技术生长的RFe2(Tb03Dy0.7Fe195)单晶材料,其室温下的饱和磁致伸缩系数λs可达2 ×10-3以上,优于同成分的定向结晶材料.采用自制的高性能RFe2单晶材
【机 构】
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武汉理工大学新材料研究所,清华大学化学系
【出 处】
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机械工程材料
【发表日期】
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2003年1期
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