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大规模集成电路(ULSI)的高速发展使光刻中曝光线条的特征尺寸日益接近曝光系统的理论分辨极限,光学邻近效应可导致实际光刻版图的较大畸变.文中基于BEM和神经网络技术,通过定义等效长度概念,建立了一个计算寄生参数的小型专家系统NNCE,以实现对光刻后实际版图的寄生电容参数的有效提取.一些简单环境中的矩形互连实例被用来比较光刻前后寄生参数的变化,数值模拟表明该方法具有良好的精度.