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本文讨论了ＳＯＩ栅控混合管的设计及制备。对这种器件的物理机制进行了实验验证。得到结论：ＧＣＨＴ漏端电流在栅压较高时趋向于双极电流，而不如文献「４」中报道是ＭＯＳ电流。
适于低压低功耗工作的SOI栅控混合管（GCHT）的实验研究
【摘 要】
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本文讨论了ＳＯＩ栅控混合管的设计及制备。对这种器件的物理机制进行了实验验证。得到结论：ＧＣＨＴ漏端电流在栅压较高时趋向于双极电流，而不如文献「４」中报道是ＭＯＳ电流。
【机 构】
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北京大学微电子所,100871
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1997年11期
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