,Common Base Four-Finger InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with Maximum Oscillatio

来源 :中国物理快报（英文版） | 被引量 : 0次 | 上传用户：qinyue_love

【作者】

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【机构】

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Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory,Nanjing Electronic D

【出处】

：

中国物理快报（英文版）

【发表日期】

：

2015年7期

【关键词】

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