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IRF6718在新款大罐式DirectFET封装中融入了IR新一代硅技术，可提供极低的通态电阻（在10V Vgs时典型值为0．5m（2），同时kgD2PAK的占位面积缩小60％，高度缩小85％。新器件大幅减少了有关旁路元件的传导损耗，
面向动态ORing和热插拔应用的MOSFET
【摘 要】
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IRF6718在新款大罐式DirectFET封装中融入了IR新一代硅技术，可提供极低的通态电阻（在10V Vgs时典型值为0．5m（2），同时kgD2PAK的占位面积缩小60％，高度缩小85％。新器件大幅减少了有关旁路
【出 处】
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今日电子
【发表日期】
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2009年9期
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