金属氧化物半导体TFT器件的膜层均一性研究

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【摘要】

：

金属氧化物薄膜晶体管(TFT)具有较好的光电特性,在新型显示器件中应用前景广泛。本论文重点针对金属氧化物TFT器件的IWZO膜层的成膜均一性进行了研究。从磁场、成膜功率、O_2

【作者】

：

朱晖

【出处】

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电子世界

【发表日期】

：

2021年7期

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金属氧化物薄膜晶体管(TFT)具有较好的光电特性,在新型显示器件中应用前景广泛。本论文重点针对金属氧化物TFT器件的IWZO膜层的成膜均一性进行了研究。从磁场、成膜功率、O_2分压等工艺参数角度出发,研究了IWZO膜层均一性与成膜工艺参数的关系,并探讨了改善膜层均一性的具体工艺参数和方法。

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