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本文叙述均匀磁聚焦和周期磁聚焦部分屏蔽流过渡区设计的一种方法,指出对于阳极电位与慢波线电位不同的电子光学系统,以及这两个电位虽然相同,但导流系数大,阳极孔效应严重的电子光学系统,它们的过渡区的设计,必须采用非等位空间中的傍轴电子轨迹方程。并对用部分屏蔽流周期磁聚焦的电子光学系统,电子枪区中的电子轨迹与磁力线重合的问题提出一些看法。