BeO-SiC复合衰减材料的制备及其性能

来源 :全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：justle

【摘要】

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以氧化铍、碳化硅为原料.采用热压烧结工艺,在1800～1900℃,氮气气氛下制备BeO-SiC复合陶瓷材料.采用网络分析以及激光热导仪等检测仪器,研究了热压烧结制备的材料的微波衰减性

【作者】

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管建波韦方明曾志彦

【机构】

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湖南有色铍业有限公司,湖南长沙410000

【出处】

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全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会

【发表日期】

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2016年9期

【关键词】

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复合陶瓷氧化铍碳化硅热压烧结微波衰减性能导热性能

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以氧化铍、碳化硅为原料.采用热压烧结工艺,在1800～1900℃,氮气气氛下制备BeO-SiC复合陶瓷材料.采用网络分析以及激光热导仪等检测仪器,研究了热压烧结制备的材料的微波衰减性能及导热性能.研究结果表明:采用热压烧结工艺可以在1800～1900℃制备组织致密均匀的BeO-SiC复合材料;采用SiC为原料的BeO-SiC复合材料具有适当的介电性能和良好的导热性能.

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