【摘 要】
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美国IBM开发出了截止频率为100 GHz的石墨烯FET(场效应晶体管)。该公司在2010年2月5日的学术杂志《Science》上发表了论文。该产品的截止频率比采用Si技术、栅极长度相同的MO
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美国IBM开发出了截止频率为100 GHz的石墨烯FET(场效应晶体管)。该公司在2010年2月5日的学术杂志《Science》上发表了论文。该产品的截止频率比采用Si技术、栅极长度相同的MOSFET的最大值还要大2.5倍,“预计还会进一步提高”(IBM)。该公司称,制造技术也能够在近未来达到实用水平。
IBM developed a graphene FET (field effect transistor) with a cutoff frequency of 100 GHz. The company published a paper in the February 5, 2010, academic journal Science. The product has a cutoff frequency that is 2.5 times larger than the maximum gate length of MOSFETs using Si technology and “is expected to further improve” (IBM). The company said manufacturing technology can also reach practical levels in the near future.
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