【摘 要】
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利用有限元法模拟了三维双碗型GEM电场和电子轨迹,计算了不同几何尺寸（包括小孔外径D、内径d、厚度T）和电参数（GEM上下电极电压差Vgem、漂移电场场强Ed、收集电场场强Ei）下的静电
【机 构】
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东南大学电子科学与技术学院显示技术研究中心
【基金项目】
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国家自然科学基金项目（60871015,50907009）,国家863计划项目（2008AA03A308）
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利用有限元法模拟了三维双碗型GEM电场和电子轨迹,计算了不同几何尺寸（包括小孔外径D、内径d、厚度T）和电参数（GEM上下电极电压差Vgem、漂移电场场强Ed、收集电场场强Ei）下的静电场和电子轨迹,研究不同几何结构和电参数对电场分布和电子透过率的影响。分析表明,D、T、Vgem对场强分布的影响比较大,d、Ed、Ei对GEM微孔内的电场影响不大。只有D、d、Ed、Vgem会对电子透过率产生影响,其余参数改变下的电子透过率与文中基准模型的一样,为35.26%,结果表明几何光学的透过率和微孔附近的电场共同决定
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