基于SiGe BiCMOS工艺的片上太赫兹滤波器

来源 :第二届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：peggy721

【摘要】

：

基于SiGe BiCMOS工艺,采用衬底集成波导(SIW)结构设计了几款片上太赫兹滤波器.测试结果中带宽和中心频率分别为20GHz@139GHz、20GHz@168GHz和26GHz@324GHz,结果表明制作的带

【作者】

：

崔博华李一虎熊永忠

【机构】

：

中国工程物理研究院太赫兹半导体器件研究室四川成都611731

【出处】

：

第二届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会

【发表日期】

：

2014年10期

【关键词】

：

片上太赫兹滤波器结构设计互补金属氧化物半导体工艺

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基于SiGe BiCMOS工艺,采用衬底集成波导(SIW)结构设计了几款片上太赫兹滤波器.测试结果中带宽和中心频率分别为20GHz@139GHz、20GHz@168GHz和26GHz@324GHz,结果表明制作的带通滤波器中心频率与设计的偏差很小;滤波器在中心频率的插入损耗为-6dB@139GHz、-5.5dB@168GHz、-5dB@324GHz.

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