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为了提高晶圆片温度分布的均匀性、改善加热元件性能，采用传导与辐射耦合传热模型，对快速热处理工艺中晶圆片内传热过程进行了数值模拟，研究了3种掺杂硅硅栅宽度（lG=40，50，60μm）条件下，硅栅宽度与图案周期之比（lG／lP=0．05，0．10，0．25）变化对晶圆片温度分布的影响．结果表明：在相同掺杂硅硅栅宽度条件下，随着硅栅排列密度的增加，晶圆片总的温度水平下降，晶圆片表面温度温差变小，温度均匀性提高；在相同硅栅排列密度条件下，随着硅栅宽度的增加，晶圆片温度水平不断提高，而晶圆片表面温度温差几乎没有变