【摘 要】
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在自主研发的一系列P型导电Cu1-xNixO靶材基础上,选择具有最佳电导率的Cu0.95Ni0.05O靶材,采用脉冲等离子体沉积技术在室温条件下普通玻璃衬底上制备了Cu0.95Ni0.05O透明导电
【机 构】
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复旦大学材料科学系,上海,200433
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在自主研发的一系列P型导电Cu1-xNixO靶材基础上,选择具有最佳电导率的Cu0.95Ni0.05O靶材,采用脉冲等离子体沉积技术在室温条件下普通玻璃衬底上制备了Cu0.95Ni0.05O透明导电薄膜.Seebeck系数测试表明所有薄膜均为P型导电.通过x射线衍射和扫描电子显微镜分别研究了薄膜的品格结构和表面形貌,证实了所制备薄膜均为非晶结构.研究了氧气压强、脉冲电压和脉冲电流等成膜条件对薄膜电学性能和光学性能的影响.在氧气压强为3.0 Pa,脉冲电压为-18 kV,脉冲电流为4.5 mA条件下,获得了电导率最大值7.1 S·cm-1,可见光区域的平均透射率为65%,光学禁带宽度为4.3 eV的光电性能相对优良的P型透明导电薄膜.
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