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为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象，建立了CCD纵向抗晕结构模型，运用半导体器件数值模拟软件MEDICI，列建立的纵向抗晕CCD器件结构进行数值计算。结果表明：CCD电极下的电荷容量随n沟道磷掺杂浓度的增加而迅速提高，但掺杂浓度的增加受期间体内击穿场强的限制，通过分析比较，取n沟道磷掺杂浓度为3×10^16cm^-3。时抗晕效果较好，并得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构。